公司简介：

　　广州微纳光刻材料科技有限公司创立于2020年，是广东省内唯一家专业开发90 nm-28 nm制程高端半导体芯片制造用193n m光刻胶及相关材料的高科技公司，为中芯国际、广州粤芯公司等客户定制光刻胶。
　　本公司的ArF国产光刻胶研发项目始于2016年，创始人首先在珠海横琴创立的光刻胶树脂公司自主研发，配方在上海、北京等地的客户生产线的ASML光刻机上（90 nm、55n m、28 nm）进行了大量的评估，其ArF光刻胶的关键技术指标，如DOF等，已超过现有头部梯队商用产品，在国内处于领先地位。总部设立于广州南沙区，并在珠海、上海设有研发中心和实验室。

南沙总部

办公楼

实验室

团队简介：

　　技术团队以原英特尔出身的博士为核心，进行光刻胶材料研发；有和博士合作多年的日本资深光刻胶工艺技术专家，负责生产工艺和质量管控；两位原中芯国际光刻部门的光刻专家负责曝光评估和市场策划；核心成员在光刻胶材料开发和应用方面拥有丰富经验；团队中有资深财务和法务顾问，负责风险管理；运营模式按照国际光刻胶和半导体公司进行；公司已选定浙江嘉兴与广东清远工厂两座符合安全生产标准的工厂进行代工生产，严格按照SPC进行生产和质量管理。

产品介绍：

　　广微纳公司已经注册“纳刻”商标，形成了纳刻系列的光刻胶产品。本公司光刻胶技术100%在本土研发，具有完全的自主知识产权。其中在ArF光刻胶系列，有性能优异的ArF干法光刻胶。经过中芯北京55 nm 节点产线评测，结果为DOF大于300 nm@ 81 nm L/S，优于现有商用ArF干法光刻胶。
　　原材料方面：公司对产品中使用的ArF感光树脂树脂和光敏剂的专利技术拥有使用权。所有光刻胶原材料由珠海公司专供，保证了排他性的竞争力。

专利介绍：　　

ArF光刻胶美国专利1项，中国发明专利7项，覆盖了90 nm-28 nm的线型光刻胶和孔洞型光刻胶的配方，授权发明专利如下：

美国专利：“Highly Sequenced Copolymer for Dual-tone Photoresist和Sequence-block Copolymers and Preparation Therefor And Application Thereof”

中国专利：
“能够得到90 nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶及其制备方法与应用” 专利号：ZL201910388230.2

“一种能够用于90 ~ 60 nm半导体制程的ArF光刻胶及其制备方法与应用” 专利号：ZL201910388389.4

“一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用” 专利号：ZL201811040575.0

“最高分辨率为5nm含酰胺基团含氟嵌段的纳米复合材料的制备及在DSA光刻领域的应用” 专利号：ZL201910337700.2

“一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物及其应用” 专利号：ZL201810892261.7

“一种感光性聚合物及其制备方法和应用” 专利号：ZL202110994811.8

“一种EUV光刻胶及其制备方法与应用” 专利号：ZL201811126499.5

公司发展现状及规划：

　　广微纳公司现已具备一定资本规模（注册资本1亿元，到位1290万）和专利技术水平，建立了与相适应的技术开发、生产运营，品质管理、市场开拓、客户服务，形成规模化生产能力，实现ArF光刻胶的开发、国产替代，填补国内高端光刻胶材料产品的空白。目前，本司ArF光刻胶加仑样品正提供客户进行测试。 未来公司产品技术将为半导体客户进行量身定制，以提高良率和拓宽工艺窗口为目的，为客户提供高性能的光刻胶。