12月14日，复旦大学邓海教授应邀到上海有机所作交叉学科讲座，在君谋楼报告厅做了主题为“High Resolution Litho Patterning Materials Development”的精彩报告。唐勇研究员主持了讲座，所内近两百名科研人员和学生参加了此次学术活动。

　　报告前唐勇研究员向大家介绍了邓海的履历，并将上海有机所交叉学科讲座纪念牌颁发给邓海教授。

　　邓海教授结合自己多年的研发和产业化经验，向大家介绍了90nm/65nm/55nm节点ArF光刻胶和10～5nm分辨率DSA光刻图形化材料的研发进展，邓海教授谈到，跟随摩尔定律发展，半导体光刻分辨率不断提高，已经达到了7nm节点，台积电明年进入5nm节点的芯片量产。90nm-38nm分辨率的ArF光刻胶是核心关键材料、也是卡脖子材料、完全依赖于进口。邓海教授产业化团队致力于国产ArF光刻胶的自主研发，成功开发出ArF光刻胶，产品性能已经与商用光刻胶相当。同时，邓教授课题组研发10～5nmLS的DSA图形化材料。合成了一系列具有5 nm分辨率的DSA材料。该材料可以在80°C 1 min热退火后形成5nm线条图形、为世界上图形化速度最快的DSA材料、有望在3nm节点（10nm以下分辨率）及以下的半导体工艺中得到应用。

　　最后，邓海教授结合自己在半导体光刻行业工作20年的实际经验，分享了自己的心得体会，并对光刻胶产业进行了展望。

　　邓海教授面向半导体产业界需求，研发ArF光刻胶，填补了国内空白，报告内容聚焦学术前沿、内容丰富、精彩生动，会后大家纷纷提出了一些自己感兴趣的问题，邓海教授都做了细致的解答。讲座结束后唐勇研究员代表上海有机所再次感谢邓海教授精彩的报告。

报告会现场

　　邓海博士现任复旦大学微电子学院教授，中组部国家人才计划、科技部02专项首席科学家，中国科学院深圳先进技术研究院高密度电子封装材料与器件广东省重点实验室学术委员会委员。1988年毕业于中山大学，1992年在京都大学获得硕士学位。1995年在东京工业大学获得博士学位。分别在阿克隆大学和加州大学伯克利分校任博士后，他于1998年受聘RohmHass的“技术领导轮岗职位”。在2015年加入复旦大学之前，他在半导体光刻行业工作了15年，曾担任TOK fellow并拥有13年的Intel研发经验。主管90nm到32 nm光刻材料的研发、选用。他曾在顶级期刊上发表30多篇学术论文，发明了10项美国专利。回国后，研发5nm分辨率DSA快速图形化材料，解决了DSA需长时间、高温度图形化的关键问题。同时，面向半导体产业界需求，研发ArF光刻胶，填补了国内空白。已发表多篇论文、申请了多项美国中国发明专利。