在半导体制造领域，上游微电子材料和设备是支撑该行业的关键部分。上游微电子材料包括半导体制造过程中用到的所有化学材料，包括硅片、光刻胶及辅助材料、光掩模、CMP 抛光材料、工艺化学品、溅射靶材、特种气体等。其中，光刻胶是占据极其重要地位的关键原材料。由于中高端光刻胶的相关生产技术目前主要掌握在日本手中，我国已加大政策扶持力度，力求加速在光刻胶领域的国产替代进程。

光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上，为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC制造过程中耗时最长、难度最大的工艺之一，耗时占 IC 制造 50%，成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中，往往要对硅片进行上十次光刻，其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，电路图形由掩膜版转移到光刻胶上，再经过刻蚀工艺，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。

光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是技术壁垒高，不可替代，难以保存。

光刻胶最为重要的技术指标包括分辨度、对比度、敏感度。优秀的光刻胶必须具备高分辨度、高敏感度和高对比度，以保证能将精密的图像从掩模版转移到硅片上。另外，光刻胶的技术要求高，所有的技术指标都必 须达标，因此除上述三个硬性指标外，好的光刻胶还必须具有强蚀刻阻抗性、高纯度、低溶解度、高粘附性、小的表面张力、低成本、长寿命周期以及较高的玻璃化转换温度。

半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、G 线（436nm）、I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 48 nm 和193 nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波 长的光刻胶也应运而生。不同的光刻胶中，根据不同的需求，关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等 也有所不同，使得光刻胶有不同的性能，进而能够满足相应的需求。